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LAPIS Semiconductor
| Número de pieza | RQ6C050UNTR | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 20V 5A TSMT | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 149396 pcs | Ficha de datos | 1.RQ6C050UNTR.pdf2.RQ6C050UNTR.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TSMT6 (SC-95) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 30 mOhm @ 5A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.25W (Ta) | embalaje | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Otros nombres | RQ6C050UNDKR RQ6C050UNTRDKR RQ6C050UNTRDKR-ND |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | N-Channel 20V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
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|---|---|---|
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