DMP3015LSSQ-13

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMP3015LSSQ-13
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO
Especificaciones:	DMP3015LSSQ-13.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	167317 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 167317 pcs

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Especificaciones de DMP3015LSSQ-13

Número de pieza	DMP3015LSSQ-13	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	167317 pcs	Ficha de datos	DMP3015LSSQ-13.pdf
Voltaje - Prueba	2748pF @ 20V	Tensión - Desglose	8-SO
VGS (th) (Max) @Id	11 mOhm @ 13A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS (Max) @Id, Vgs	13A (Ta)
Polarización	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	DMP3015LSSQ-13DITR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	DMP3015LSSQ-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	60.4nC @ 10V	Tipo de IGBT	±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2V @ 250µA	Característica de FET	P-Channel
Descripción ampliada	P-Channel 30V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	30V
relación de capacidades	2.5W (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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