FDMS86105

Fairchild/ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS86105
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V POWER56
Especificaciones:	FDMS86105.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	55239 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 55239 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de FDMS86105

Número de pieza	FDMS86105	Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V POWER56	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	55239 pcs	Ficha de datos	FDMS86105.pdf
Voltaje - Prueba	645pF @ 50V	Tensión - Desglose	8-PQFN (5x6), Power56
VGS (th) (Max) @Id	34 mOhm @ 6A, 10V	Vgs (Max)	6V, 10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	PowerTrench®
Estado RoHS	Digi-Reel®	RDS (Max) @Id, Vgs	6A (Ta), 26A (Tc)
Polarización	8-PowerTDFN	Otros nombres	FDMS86105DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	FDMS86105
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11nC @ 10V	Tipo de IGBT	±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4V @ 250µA	Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 100V 6A (Ta), 26A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET N-CH 100V POWER56	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100V
relación de capacidades	2.5W (Ta), 48W (Tc)

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