FDMS86150ET100

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS86150ET100
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Especificaciones:	FDMS86150ET100.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	18834 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18834 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.661

10 pcs: $1.482

100 pcs: $1.215

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Especificaciones de FDMS86150ET100

Número de pieza	FDMS86150ET100	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 16A POWER56	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	18834 pcs	Ficha de datos	FDMS86150ET100.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	Power56
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	4.85 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.3W (Ta), 187W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	FDMS86150ET100DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4065pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	62nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 16A (Ta), 128A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount Power56	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	16A (Ta), 128A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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