FDMS86101A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS86101A
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 13A POWER56
Especificaciones:	FDMS86101A.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	75134 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 75134 pcs

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Especificaciones de FDMS86101A

Número de pieza	FDMS86101A	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 13A POWER56	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	75134 pcs	Ficha de datos	FDMS86101A.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-PQFN (5x6)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	8 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 104W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	FDMS86101A-ND FDMS86101ATR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4120pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	58nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 13A (Ta), 60A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta), 60A (Tc)

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Después de las ventas
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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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