FDC655AN

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDC655AN
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-SSOT
Especificaciones:	FDC655AN.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5118 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5118 pcs

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Especificaciones de FDC655AN

Número de pieza	FDC655AN	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-SSOT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5118 pcs	Ficha de datos	FDC655AN.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	27 mOhm @ 6.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.6W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	13nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 6.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6.3A (Ta)

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