FDC645N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDC645N
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
Especificaciones:	FDC645N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	89291 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 89291 pcs

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Especificaciones de FDC645N

Número de pieza	FDC645N	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	89291 pcs	Ficha de datos	FDC645N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	26 mOhm @ 6.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.6W (Ta)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	FDC645NDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1460pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	21nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5.5A (Ta)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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