FDC6561AN

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDC6561AN
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Especificaciones:	FDC6561AN.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	148809 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 148809 pcs

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Especificaciones de FDC6561AN

Número de pieza	FDC6561AN	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	148809 pcs	Ficha de datos	FDC6561AN.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	95 mOhm @ 2.5A, 10V
Potencia - Max	700mW	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	FDC6561ANCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3.2nC @ 5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A

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