FDC6432SH

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDC6432SH
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 30V/12V SSOT-6
Especificaciones:	FDC6432SH.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6371 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6371 pcs

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Especificaciones de FDC6432SH

Número de pieza	FDC6432SH	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V/12V SSOT-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6371 pcs	Ficha de datos	FDC6432SH.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 1mA	Paquete del dispositivo	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®, SyncFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	90 mOhm @ 2.4A, 10V
Potencia - Max	700mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3.5nC @ 5V	Tipo FET	N and P-Channel
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V, 12V
Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 30V, 12V 2.4A, 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.4A, 2.5A

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