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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | SSM3K15FS,LF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A SSM | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4518 pcs | Ficha de datos | 1.SSM3K15FS,LF.pdf2.SSM3K15FS,LF.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SSM |
| Serie | π-MOSVI | RDS (Max) @Id, Vgs | 4 Ohm @ 10mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo) | 200mW (Ta) | embalaje | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta | SC-75, SOT-416 | Otros nombres | SSM3K15FS(T5LFT)DKR SSM3K15FS(T5LFT)DKR-ND SSM3K15FS(TE85LF)DKR SSM3K15FS(TE85LF)DKR-ND SSM3K15FSLFDKR SSM3K15FST5LFTDKR SSM3K15FST5LFTDKR-ND |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7.8pF @ 3V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | N-Channel 30V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SSM |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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