| Número de pieza | SSM3K15ACTC,L3F | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 2558743 pcs | Ficha de datos | SSM3K15ACTC,L3F.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | CST3C |
| Serie | U-MOSIII | RDS (Max) @Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 10mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SC-101, SOT-883 | Otros nombres | SSM3K15ACTC,L3F(B SSM3K15ACTC,L3F(T SSM3K15ACTCL3F SSM3K15ACTCL3F(B SSM3K15ACTCL3F(T SSM3K15ACTCL3FTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13.5pF @ 3V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 100mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3C | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
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