| Número de pieza | SSM3K16CT(TPL3) | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1406314 pcs | Ficha de datos | SSM3K16CT(TPL3).pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.1V @ 100µA | Vgs (Max) | ±10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | CST3 |
| Serie | π-MOSVI | RDS (Max) @Id, Vgs | 3 Ohm @ 10mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo) | 100mW (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SC-101, SOT-883 | Otros nombres | SSM3K16CT (TPL3) SSM3K16CT(TPL3)TR SSM3K16CTTPL3 |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3pF @ 3V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | N-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
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|---|---|---|
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