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TSC (Taiwan Semiconductor)
| Número de pieza | TSM80N950CP ROG | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 53352 pcs | Ficha de datos | TSM80N950CP ROG.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 950 mOhm @ 3A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 110W (Tc) | embalaje | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Otros nombres | TSM80N950CP ROGDKR TSM80N950CP ROGDKR-ND TSM80N950CPROGDKR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 691pF @ 100V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 19.6nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V |
| Descripción detallada | N-Channel 800V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
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|---|---|---|
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