TSM80N950CI C0G

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Descripción del producto

Número de pieza:	TSM80N950CI C0G
Fabricante / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A ITO220
Especificaciones:	TSM80N950CI C0G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	39742 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 39742 pcs

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Especificaciones de TSM80N950CI C0G

Número de pieza	TSM80N950CI C0G	Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A ITO220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	39742 pcs	Ficha de datos	TSM80N950CI C0G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	ITO-220
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	950 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	25W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Otros nombres	TSM80N950CI C0G-ND TSM80N950CIC0G
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	691pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	19.6nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V
Descripción detallada	N-Channel 800V 6A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)

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Después de las ventas
Especificaciones

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