TSM8N70CI C0

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Descripción del producto

Número de pieza:	TSM8N70CI C0
Fabricante / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción del producto	MOSFET N-CH 700V ITO220
Especificaciones:	TSM8N70CI C0.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	6688 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6688 pcs

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Especificaciones de TSM8N70CI C0

Número de pieza	TSM8N70CI C0	Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción	MOSFET N-CH 700V ITO220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	6688 pcs	Ficha de datos	TSM8N70CI C0.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	ITO-220
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	900 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)	40W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Otros nombres	TSM8N70CIC0	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2006pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	32nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	700V	Descripción detallada	N-Channel 700V 8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)

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