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TSC (Taiwan Semiconductor)
| Número de pieza | TSM1N80CW RPG | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 395925 pcs | Ficha de datos | TSM1N80CW RPG.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SOT-223 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 21.6 Ohm @ 150mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2.1W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-261-4, TO-261AA | Otros nombres | TSM1N80CW RPGTR TSM1N80CW RPGTR-ND TSM1N80CWRPGTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V |
| Descripción detallada | N-Channel 800V 300mA (Ta) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Ta) |
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|---|---|---|
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