TSM190N08CZ C0G

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Descripción del producto

Número de pieza:	TSM190N08CZ C0G
Fabricante / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220
Especificaciones:	TSM190N08CZ C0G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	28683 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 28683 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.254

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Especificaciones de TSM190N08CZ C0G

Número de pieza	TSM190N08CZ C0G	Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	28683 pcs	Ficha de datos	TSM190N08CZ C0G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	4.2 mOhm @ 90A, 10V
La disipación de energía (máximo)	250W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	TSM190N08CZ C0G-ND TSM190N08CZC0G
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8600pF @ 30V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	160nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	75V
Descripción detallada	N-Channel 75V 190A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	190A (Tc)

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Después de las ventas
Especificaciones

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