| Número de pieza | TSM1N45CT B0G | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 450V 500MA TO92 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 3920 pcs | Ficha de datos | TSM1N45CT B0G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.25V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-92 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 4.25 Ohm @ 250mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2W (Tc) | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Otros nombres | TSM1N45CT B0G-ND TSM1N45CT B0GTR TSM1N45CT B0GTR-ND TSM1N45CT B3G-ND TSM1N45CTB0G |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 450V |
| Descripción detallada | N-Channel 450V 500mA (Tc) 2W (Tc) Through Hole TO-92 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Tc) |
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|---|---|---|
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