FDD6N50TM

Fairchild/ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDD6N50TM
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Especificaciones:	FDD6N50TM.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5428 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5428 pcs

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Especificaciones de FDD6N50TM

Número de pieza	FDD6N50TM	Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 500V 6A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5428 pcs	Ficha de datos	FDD6N50TM.pdf
Voltaje - Prueba	9400pF @ 25V	Tensión - Desglose	D-Pak
VGS (th) (Max) @Id	900 mOhm @ 3A, 10V	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	UniFET™	Estado RoHS	Tube
RDS (Max) @Id, Vgs	6A (Tc)	Polarización	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	FDD6N50TM-5	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	FDD6N50TM	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	16.6nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	5V @ 250µA	Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET N-CH 500V 6A DPAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	500V
relación de capacidades	89W (Tc)

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