FDD7030BL

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDD7030BL
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 14A DPAK
Especificaciones:	FDD7030BL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6164 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6164 pcs

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Especificaciones de FDD7030BL

Número de pieza	FDD7030BL	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 14A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6164 pcs	Ficha de datos	FDD7030BL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D-PAK (TO-252)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	9.5 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.8W (Ta), 60W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1425pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.8W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Ta), 56A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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