FDD770N15A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDD770N15A
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Especificaciones:	FDD770N15A.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	94211 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 94211 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de FDD770N15A

Número de pieza	FDD770N15A	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N CH 150V 18A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	94211 pcs	Ficha de datos	FDD770N15A.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D-Pak
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	77 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)	56.8W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	FDD770N15ADKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	765pF @ 75V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	11nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	150V
Descripción detallada	N-Channel 150V 18A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount D-Pak	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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