EPC2105ENG

EPC

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Descripción del producto

Número de pieza:	EPC2105ENG
Fabricante / Marca:	EPC
Descripción del producto	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Especificaciones:	EPC2105ENG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	9049 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 9049 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

10 pcs: $4.074

30 pcs: $3.769

100 pcs: $3.463

250 pcs: $3.157

500 pcs: $2.954

1000 pcs: $2.709

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Especificaciones de EPC2105ENG

Número de pieza	EPC2105ENG	Fabricante	EPC
Descripción	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	9049 pcs	Ficha de datos	EPC2105ENG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 2.5mA	Paquete del dispositivo	Die
Serie	eGaN®	RDS (Max) @Id, Vgs	14.5 mOhm @ 20A, 5V
Potencia - Max	-	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	Die	Otros nombres	EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 40V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.5nC @ 5V
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)	Característica de FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	80V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9.5A, 38A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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