| Número de pieza | EPC2103ENGRT | Fabricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 11227 pcs | Ficha de datos | EPC2103ENGRT.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 7mA | Paquete del dispositivo | Die |
| Serie | eGaN® | RDS (Max) @Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Potencia - Max | - | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | Die | Otros nombres | 917-1146-1 917-1146-1-ND 917-EPC2103ENGRCT |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 40V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6.5nC @ 5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 23A |
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|---|---|---|
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