EPC2108

EPC

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Descripción del producto

Número de pieza:	EPC2108
Fabricante / Marca:	EPC
Descripción del producto	MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Especificaciones:	EPC2108.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	94254 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 94254 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.322

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Especificaciones de EPC2108

Número de pieza	EPC2108	Fabricante	EPC
Descripción	MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	94254 pcs	Ficha de datos	EPC2108.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA	Paquete del dispositivo	9-BGA (1.35x1.35)
Serie	eGaN®	RDS (Max) @Id, Vgs	190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Potencia - Max	-	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	9-VFBGA	Otros nombres	917-1169-2
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 30V, 7pF @ 30V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Tipo FET	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)	Característica de FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V, 100V	Descripción detallada	Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.7A, 500mA

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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