ZXMN10A25KTC

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	ZXMN10A25KTC
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
Especificaciones:	ZXMN10A25KTC.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	56371 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 56371 pcs

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1 pcs: $0.551

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Especificaciones de ZXMN10A25KTC

Número de pieza	ZXMN10A25KTC	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	56371 pcs	Ficha de datos	ZXMN10A25KTC.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-252-3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	125 mOhm @ 2.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.11W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	ZXMN10A25KTCCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	859pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	17.16nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 4.2A (Ta) 2.11W (Ta) Surface Mount TO-252-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4.2A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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