RFD12N06RLESM9A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RFD12N06RLESM9A
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Especificaciones:	RFD12N06RLESM9A.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	95399 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 95399 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.386

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Especificaciones de RFD12N06RLESM9A

Número de pieza	RFD12N06RLESM9A	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 18A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	95399 pcs	Ficha de datos	RFD12N06RLESM9A.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-252AA
Serie	UltraFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	63 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo)	49W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	RFD12N06RLESM9ACT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	485pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	15nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 18A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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