FDY302NZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDY302NZ
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V SC-89-3
Especificaciones:	FDY302NZ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1090271 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1090271 pcs

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Especificaciones de FDY302NZ

Número de pieza	FDY302NZ	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 20V SC-89-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1090271 pcs	Ficha de datos	FDY302NZ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SC-89-3
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	300 mOhm @ 600mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	625mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-89, SOT-490	Otros nombres	FDY302NZ-ND FDY302NZTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1.1nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	N-Channel 20V 600mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-89-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	600mA (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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