FDMC2D8N025S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMC2D8N025S
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 25V 124A 8PQFN
Especificaciones:	FDMC2D8N025S.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	132081 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 132081 pcs

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Especificaciones de FDMC2D8N025S

Número de pieza	FDMC2D8N025S	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 25V 124A 8PQFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	132081 pcs	Ficha de datos	FDMC2D8N025S.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	1.9 mOhm @ 28A, 10V
La disipación de energía (máximo)	47W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	FDMC2D8N025S-ND FDMC2D8N025SOSTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4615pF @ 13V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	63nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	25V
Descripción detallada	N-Channel 25V 124A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	124A (Tc)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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