FDMC15N06

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMC15N06
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP
Especificaciones:	FDMC15N06.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	136893 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 136893 pcs

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Especificaciones de FDMC15N06

Número de pieza	FDMC15N06	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	136893 pcs	Ficha de datos	FDMC15N06.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-MLP (3.3x3.3)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	900 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.3W (Ta), 35W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	FDMC15N06TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	11.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	55V
Descripción detallada	N-Channel 55V 2.4A (Ta), 15A (Tc) 2.3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.4A (Ta), 15A (Tc)

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