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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | FDMC4435BZ-F126 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 8.5A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 380330 pcs | Ficha de datos | FDMC4435BZ-F126.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±25V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 8-MLP (3.3x3.3) |
| Serie | PowerTrench® | RDS (Max) @Id, Vgs | 20 mOhm @ 8.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2.3W (Ta), 31W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerWDFN | Otros nombres | FDMC4435BZ-F126TR FDMC4435BZ_F126 FDMC4435BZ_F126TR FDMC4435BZ_F126TR-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2045pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | P-Channel 30V 8.5A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Ta), 18A (Tc) |
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|---|---|---|
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