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| Número de pieza | VS-10ETS12SPBF | Fabricante | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 34198 pcs | Ficha de datos | VS-10ETS12SPBF.pdf |
| Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 10A |
| Tensión - Desglose | TO-263AB (D²PAK) | Serie | - |
| Estado RoHS | Tube | Tiempo de recuperación inversa (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F | - | Polarización | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres | 10ETS12SPBF VS-10ETS12SPBF-ND VS10ETS12SPBF VS10ETS12SPBF-ND |
Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | VS-10ETS12SPBF |
| Descripción ampliada | Diode Standard 1200V (1.2kV) 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK) | configuración de diodo | 50µA @ 1200V |
| Descripción | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK | Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.1V @ 10A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 1200V (1.2kV) | Capacitancia Vr, F | -40°C ~ 150°C |
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|---|---|---|
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