TPH6R004PL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TPH6R004PL,LQ
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Especificaciones:	TPH6R004PL,LQ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	247229 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 247229 pcs

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3000 pcs: $0.133

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Especificaciones de TPH6R004PL,LQ

Número de pieza	TPH6R004PL,LQ	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	247229 pcs	Ficha de datos	TPH6R004PL,LQ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.4V @ 200µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SOP Advance (5x5)
Serie	U-MOSIX-H	RDS (Max) @Id, Vgs	6 mOhm @ 24.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.8W (Ta), 81W (Tc)	Paquete / Cubierta	8-PowerVDFN
Otros nombres	TPH6R004PLLQ	Temperatura de funcionamiento	175°C
Tipo de montaje	Surface Mount	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	30nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V
Descripción detallada	N-Channel 40V 87A (Ta), 49A (Tc) 1.8W (Ta), 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	87A (Ta), 49A (Tc)

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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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