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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | TPH4R606NH,L1Q | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 114134 pcs | Ficha de datos | TPH4R606NH,L1Q.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 500µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 8-SOP Advance (5x5) |
| Serie | U-MOSVIII-H | RDS (Max) @Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 16A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.6W (Ta), 63W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN | Otros nombres | TPH4R606NH,L1Q(M TPH4R606NHL1Q TPH4R606NHL1QTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3965pF @ 30V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | N-Channel 60V 32A (Ta) 1.6W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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