| Número de pieza | TPH2R506PL,L1Q | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 97658 pcs | Ficha de datos | TPH2R506PL,L1Q.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 500µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 8-SOP Advance (5x5) |
| Serie | U-MOSIX-H | RDS (Max) @Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 30A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 132W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN | Otros nombres | TPH2R506PL,L1Q(M TPH2R506PLL1Q TPH2R506PLL1QTR |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5435pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 60nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Descripción detallada | N-Channel 60V 100A (Tc) 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
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