TPH2R306NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TPH2R306NH,L1Q
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
Especificaciones:	TPH2R306NH,L1Q.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	25817 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 25817 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.173

10 pcs: $1.06

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Especificaciones de TPH2R306NH,L1Q

Número de pieza	TPH2R306NH,L1Q	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	25817 pcs	Ficha de datos	TPH2R306NH,L1Q.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SOP Advance (5x5)
Serie	U-MOSVIII-H	RDS (Max) @Id, Vgs	2.3 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.6W (Ta), 78W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerVDFN	Otros nombres	TPH2R306NHL1QCT
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6100pF @ 30V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	72nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)

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Después de las ventas
Especificaciones

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