TPC6110(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

La imagen puede ser representación. Ver especificaciones para detalles del producto.

Descripción del producto

Número de pieza:	TPC6110(TE85L,F,M)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6
Especificaciones:	1.TPC6110(TE85L,F,M).pdf 2.TPC6110(TE85L,F,M).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	321244 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 321244 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de TPC6110(TE85L,F,M)

Número de pieza	TPC6110(TE85L,F,M)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	321244 pcs	Ficha de datos	1.TPC6110(TE85L,F,M).pdf 2.TPC6110(TE85L,F,M).pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 100µA	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	VS-6 (2.9x2.8)	Serie	U-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs	56 mOhm @ 2.2A, 10V	La disipación de energía (máximo)	700mW (Ta)
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres	TPC6110(TE85LFM) TPC6110TE85LFM	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	510pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	14nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	P-Channel 30V 4.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A (Ta)

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