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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | TPC6109-H(TE85L,FM | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 5A VS-6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 6945 pcs | Ficha de datos | 1.TPC6109-H(TE85L,FM.pdf2.TPC6109-H(TE85L,FM.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.2V @ 200µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | VS-6 (2.9x2.8) |
| Serie | U-MOSIII-H | RDS (Max) @Id, Vgs | 59 mOhm @ 2.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 700mW (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Otros nombres | TPC6109-H(TE85L,F) TPC6109-H(TE85LFMTR TPC6109-HTE85LFTR TPC6109-HTE85LFTR-ND |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | P-Channel 30V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
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|---|---|---|
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