TK50P03M1(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK50P03M1(T6RSS-Q)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3
Especificaciones:	TK50P03M1(T6RSS-Q).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	86599 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 86599 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de TK50P03M1(T6RSS-Q)

Número de pieza	TK50P03M1(T6RSS-Q)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	86599 pcs	Ficha de datos	TK50P03M1(T6RSS-Q).pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.3V @ 200µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DP
Serie	U-MOSVI-H	RDS (Max) @Id, Vgs	7.5 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)	47W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	TK50P03M1(T6RSSQ)CT TK50P03M1T6RSSQ
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	25.3nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 50A (Ta) 47W (Tc) Surface Mount DP	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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