TK50E08K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK50E08K3,S1X(S
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 75V 50A TO-220AB
Especificaciones:	TK50E08K3,S1X(S.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4278 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4278 pcs

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Especificaciones de TK50E08K3,S1X(S

Número de pieza	TK50E08K3,S1X(S	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 75V 50A TO-220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4278 pcs	Ficha de datos	TK50E08K3,S1X(S.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	TO-220-3	Serie	-
RDS (Max) @Id, Vgs	12 mOhm @ 25A, 10V	La disipación de energía (máximo)	-
embalaje	Tube	Paquete / Cubierta	TO-220-3
Otros nombres	TK50E08K3S1X(S TK50E08K3S1XS	Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	55nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	75V	Descripción detallada	N-Channel 75V 50A (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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