TK10Q60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK10Q60W,S1VQ
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Especificaciones:	TK10Q60W,S1VQ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	25932 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 25932 pcs

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Especificaciones de TK10Q60W,S1VQ

Número de pieza	TK10Q60W,S1VQ	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	25932 pcs	Ficha de datos	TK10Q60W,S1VQ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.7V @ 500µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I-PAK
Serie	DTMOSIV	RDS (Max) @Id, Vgs	430 mOhm @ 4.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)	80W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Stub Leads, IPak	Otros nombres	TK10Q60W,S1VQ(S TK10Q60WS1VQ
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 300V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Through Hole I-PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9.7A (Ta)

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