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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | TK10P60W,RVQ | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 75090 pcs | Ficha de datos | TK10P60W,RVQ.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.7V @ 500µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | DPAK |
| Serie | DTMOSIV | RDS (Max) @Id, Vgs | 430 mOhm @ 4.9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 80W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Otros nombres | TK10P60W,RVQ(S TK10P60WRVQ TK10P60WRVQTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 300V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | Super Junction |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
| Descripción detallada | N-Channel 600V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9.7A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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