| Número de pieza | SSM6P49NU,LF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 501205 pcs | Ficha de datos | SSM6P49NU,LF.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.2V @ 1mA | Paquete del dispositivo | 6-UDFN (2x2) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Potencia - Max | 1W | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 6-WDFN Exposed Pad | Otros nombres | SSM6P49NU,LF(B SSM6P49NU,LF(T SSM6P49NULF SSM6P49NULF(TTR SSM6P49NULF(TTR-ND SSM6P49NULFTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6.74nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN (2x2) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
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|---|---|---|
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