SSM6P47NU,LF(T

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM6P47NU,LF(T
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
Especificaciones:	SSM6P47NU,LF(T.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	107455 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 107455 pcs

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Especificaciones de SSM6P47NU,LF(T

Número de pieza	SSM6P47NU,LF(T	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	107455 pcs	Ficha de datos	SSM6P47NU,LF(T.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Paquete del dispositivo	6-UDFN (2x2)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	95 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Potencia - Max	1W	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	6-WDFN Exposed Pad	Otros nombres	SSM6P47NULF(TDKR SSM6P47NULFDKR SSM6P47NULFDKR-ND
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4.6nC @ 4.5V
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4A

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