SSM6N39TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM6N39TU,LF
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6
Especificaciones:	SSM6N39TU,LF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	635211 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 635211 pcs

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Especificaciones de SSM6N39TU,LF

Número de pieza	SSM6N39TU,LF	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	635211 pcs	Ficha de datos	SSM6N39TU,LF.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Paquete del dispositivo	UF6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	119 mOhm @ 1A, 4V
Potencia - Max	500mW	Paquete / Cubierta	6-SMD, Flat Leads
Otros nombres	SSM6N39TULF	Temperatura de funcionamiento	150°C
Tipo de montaje	Surface Mount	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	260pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	7.5nC @ 4V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.6A (Ta) 500mW Surface Mount UF6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.6A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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