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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | SSM6N36FE,LM | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1025174 pcs | Ficha de datos | 1.SSM6N36FE,LM.pdf2.SSM6N36FE,LM.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA | Paquete del dispositivo | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 630 mOhm @ 200mA, 5V |
| Potencia - Max | 150mW | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 | Otros nombres | SSM6N36FE(TE85L,F) SSM6N36FE(TE85LF)TR SSM6N36FE(TE85LF)TR-ND SSM6N36FE,LM(B SSM6N36FE,LM(T SSM6N36FELM(TTR SSM6N36FELM(TTR-ND SSM6N36FELMTR SSM6N36FETE85LF |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1.23nC @ 4V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 500mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA | Número de pieza base | SSM6N36 |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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