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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | SSM6K361NU,LF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-UDFNB | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 571452 pcs | Ficha de datos | SSM6K361NU,LF.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 6-UDFNB (2x2) |
| Serie | U-MOSVIII-H | RDS (Max) @Id, Vgs | 69 mOhm @ 2A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 6-WDFN Exposed Pad | Otros nombres | SSM6K361NU,LF(B SSM6K361NULF SSM6K361NULF(B SSM6K361NULFTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | N-Channel 100V 3.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
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|---|---|---|
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