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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | SSM6K202FE,LF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 157550 pcs | Ficha de datos | 1.SSM6K202FE,LF.pdf2.SSM6K202FE,LF.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 85 mOhm @ 1.5A, 4V |
| La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 | Otros nombres | SSM6K202FE(TE85LFCT SSM6K202FE(TE85LFCT-ND SSM6K202FE,LFCT SSM6K202FE,LFCT-ND SSM6K202FELF SSM6K202FELFCT |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | N-Channel 30V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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