SSM3J15CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM3J15CT(TPL3)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
Especificaciones:	SSM3J15CT(TPL3).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	201885 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 201885 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.162

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Especificaciones de SSM3J15CT(TPL3)

Número de pieza	SSM3J15CT(TPL3)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	201885 pcs	Ficha de datos	SSM3J15CT(TPL3).pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	CST3
Serie	π-MOSVI	RDS (Max) @Id, Vgs	12 Ohm @ 10mA, 4V
La disipación de energía (máximo)	100mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	SC-101, SOT-883	Otros nombres	SSM3J15CT(TPL3)CT SSM3J15CTL3FCT SSM3J15CTL3FCT-ND
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9.1pF @ 3V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	P-Channel 30V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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