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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | SSM3J14TTE85LF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 6638 pcs | Ficha de datos | SSM3J14TTE85LF.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | - | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TSM |
| Serie | U-MOSII | RDS (Max) @Id, Vgs | 85 mOhm @ 1.35A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 700mW (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Otros nombres | SSM3J14T (TE85L,F) SSM3J14T(TE85L,F) SSM3J14TTE85LFTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 413pF @ 15V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | P-Channel 30V 2.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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