RN1314(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	RN1314(TE85L,F)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Especificaciones:	RN1314(TE85L,F).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1792029 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1792029 pcs

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3000 pcs: $0.017

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Especificaciones de RN1314(TE85L,F)

Número de pieza	RN1314(TE85L,F)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1792029 pcs	Ficha de datos	RN1314(TE85L,F).pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor	NPN - Pre-Biased	Paquete del dispositivo	USM
Serie	-	Resistor - Base del emisor (R2)	10 kOhms
Resistor - Base (R1)	1 kOhms	Potencia - Max	100mW
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	SC-70, SOT-323
Otros nombres	RN1314(TE85LF) RN1314(TE85LF)-ND RN1314(TE85LF)TR RN1314TE85LF	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición	250MHz	Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V	Corriente - corte del colector (Max)	500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA	Número de pieza base	RN131*

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